曝光一般在曝光机内进行,目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷,曝光质量取决于除干膜致抗蚀剂、光源选择、曝光时间、菲林胶片质量等因素。
曝光不足,导致单体聚合不,那么在显影过程中,会使的胶膜变软,线条不清晰,色泽暗淡,脱胶。曝光过度,会造成难显影,留有残胶。
蚀刻曝光就是通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。底片尺寸的稳定性随环境的温度和贮存时间而变化。所以,底片的生产、贮存和使用采用恒温的环境,采用厚底片也能提高照相底片的尺寸稳定性。
除此以外,曝光机的真空系统和真空曝光框架材料的选择,也影响曝光成像的质量。
显影时,通过感光鼓和显影辊之间的电场作用,碳粉被吸到感光鼓曝光区域。其中曝光部位电位低于显影辊表面电位低于感光鼓未曝光部位电位。多用在数码复合机与激光打印机中。3D玻璃显影曝光技术在HW mateRs用到了此技术,该后盖3D玻璃8曲面,弧面曲率大,普通的贴膜技术难以解决,应用范围主要是机型,曲率越大的玻璃加工制造难度加大,良率降低,成本报价相应要高,设计八曲面玻璃主要是为了满足如下两点需求:曝光显影加工是半导体工业制程中的一种加工方法,也被称为光刻工艺。它是通过在芯片表面上涂覆一层光刻胶,并使用掩膜在光刻胶上曝光出所需要的芯片图案,通过显影来去除未曝光的部分,将芯片图案准确地转移到芯片表面的制程。显影包括正显影和反转显影。正显影时,显影色粉所带电荷的极性,与感光鼓表面静电潜像的电荷极性相反。显影时,在感光鼓表面静电潜像是场力的作用下,色粉被吸附在感光鼓上。常用1%~2%的碳酸钠水溶液作显影液,液温30~40℃,显喷淋去膜生产,但应经常检查喷嘴是否堵塞,在膜液中必须添加消泡剂。 感光(曝光)完成后就要进行下一步工作——显影。显影的目的是通过显影将未曝光的地方冲走,经过曝光的地方固化,这样就能确定需要被腐蚀和不被腐蚀的图案。以便后续蚀刻加工的精度。